集微网消息，天眼查显示，富士康新能源汽车产业发展（河南）有限公司于2024年1月4日成立，注册资本5亿元人民币，黄英士任董事长。该公司经营范围含汽车零部件及配件制造；电机制造；通用零部件制造；新能源汽车整车销售；汽车零配件批发；新能源汽车废旧动力蓄电池回收及梯次利用（不含危险废物经营）等。

　　股东信息显示，该公司由富士康新事业发展集团有限公司100%全资持股，后者为鸿富锦精密电子（郑州）有限公司全资子公司。

　　根据中证金牛座消息，富士康对于在河南成立新公司回应称：“根据集团3+3战略产业规划，2023年富士康科技集团在郑州设立富士康新事业总部并成立富士康新事业发展集团有限公司，统筹规划包括新能源汽车、电池等在内的新产业发展。此次富士康新事业发展集团旗下新设立的富士康新能源汽车产业发展（河南）有限公司，将进一步聚焦新能源汽车产业，加快项目推进实施。”

　　集微网消息，2023年12月29日，《重庆市集成电路设计产业发展行动计划（2023—2027年）》发布，以进一步提升重庆市集成电路产业设计能力，充分发挥设计环节的龙头带动作用，建设更具竞争力的集成电路产业集群，助力打造“33618”现代制造业集群体系。

　　发挥我市集成电路特色工艺和整车整机产业优势，以提升市内集成电路协同水平、打造重庆区域IDM（垂直整合制造）为重点，以集聚壮大市场主体为抓手，以加快引进培育设计人才为着力点，不断完善集成电路设计产业生态链，推动全市集成电路设计产业跨越式发展，打造以两江新区、西部科学城重庆高新区为主要载体的集成电路设计产业集群，为我市制造业高质量发展提供有力支撑。

　　——补齐产业链条短板，打造重庆区域IDM。增强晶圆代工能力，打造具有全国影响力的重庆区域IDM，提升设计与制造、封测等环节协同发展、紧密衔接的水平，构建完善产业生态，有效吸引设计企业来渝集聚。

　　——发挥市场需求牵引作用，引育市场主体。围绕我市支柱产业中的重要应用场景，吸引一批高端集成电路设计龙头企业落地，培育壮大一批高成长性中小微集成电路设计企业。

　　——完善中试服务体系，做大做强优势特色领域。依托我市特色工艺技术优势和产业基础，聚焦模拟集成电路、功率半导体、化合物半导体、传感器等优势领域，构建特色工艺中试平台体系，加快集成电路设计企业的孵化培育。

　　到2027年，全市集成电路设计产业营收突破120亿元；新增集成电路设计企业100家以上，其中营收超过5亿元的企业1家以上、营收超过2亿元的企业4家以上；培育一批“专精特新”“小巨人”“隐形冠军”企业；模拟芯片、硅光芯片、车规芯片、功率半导体、MEMS（微机电系统）传感器等设计水平全国领先；集成电路设计能力对支柱产业的支撑能力显著增强，建成具有重要全国影响力的集成电路设计产业集群。

　　强化整机整车产业对本土芯片设计的吸纳能力。把握应用终端产品更新及供应链重构机遇，依托整机整车产业发展需求，吸引一批领先的集成电路设计企业在渝布局。推动集成电路设计企业与新能源汽车、智能终端、工业控制、轨道交通等整机整车应用企业联动发展，以整机整车产业升级推动芯片研发，以芯片研发支撑整机整车产业升级，推动产业链和创新链协同化发展。鼓励整机整车应用企业采购我市集成电路设计产品。

　　2．推动应用场景落地。搭建供需对接平台，鼓励有条件的区县出台支持应用企业与设计企业、整体解决方案提供企业开展供需对接的政策，引导企业间提高合作频次、开发应用产品。开展设计项目和整体解决方案评选，做好宣传推介工作，推动我市集成电路设计企业新技术、新产品、新标准应用落地。

　　3．引进成熟工艺节点代工线。加强与集成电路制造企业合作，依托我市车用、工业、物联网、消费电子等应用领域通信和控制处理芯片等需求，规划建设28—55nm成熟工艺制程的晶圆代工厂，大力争取晶圆代工龙头企业来渝布局。以晶圆代工龙头企业带动集成电路设计、制造、封测、材料、设备全面发展，形成集成电路产业优势集群。

　　加快推进关键材料战略备份。基于国家战略及我市集成电路制造产业需求，结合拟布局的成熟工艺制程晶圆代工产线生产及中试体系研发需求，建立原材料统筹储存周转机制，加快打造集成电路生产用原材料战略备份基地，形成集成电路生产用原材料的保障能力。配套构建原材料应用验证平台，形成协同科技攻关能力，加快推进原材料国产化进程。

　　5．加强人才培育。引导我市高校围绕集成电路设计产业发展需求，进一步优化学科专业设置。支持重庆大学、重庆邮电大学扩大微电子专业办学规模，建设集成电路科学与工程一级学科硕士及博士授权点，打造国家示范性微电子学院。大力推动产教融合、联合培养、定向补充，打通集成电路设计产业人才培养“最后一公里”。

　　加快人才引进。出台集成电路人才专项政策，加大集成电路设计人才引进力度，依托“渝跃行动”、新重庆引才计划等引才政策，加快从全球靶向引进高端领军人才、创新团队和管理团队。适当放宽人才认定标准，加大对中坚骨干力量、技术能手等多层次人才的支持力度。支持集成电路企业（科研机构）建设博士后科研工作站。

　　7．加大技术创新力度。深化征集、研究我市智能网联新能源汽车、人工智能、物联网、智慧医疗等数字化领域对集成电路设计技术的创新需求，加大专项攻关项目发布力度。鼓励集成电路应用龙头企业联合集成电路设计企业共同承担重大项目、重大技术攻关计划和重点研发计划。联合政产学研多方力量，推进构建专用芯片标准、验证、测试、认证体系。

　　8．加快中试服务体系建设。针对功率半导体、硅基光电子、化合物半导体、MEMS等特色工艺方向，分类构建器件、芯片架构设计平台，工艺中试验证平台，封装测试平台和EDA（电子设计自动化）工具、MPW（多项目晶圆加工）等配套服务平台。完善从研发、中试到量产的产业链条，推进中小微集成电路设计企业围绕中试平台聚集发展，有效降低企业运营成本，加速企业孵化进程。

　　9．强化产业基金牵引。充分运用重庆产业投资母基金发展集成电路产业，鼓励支持有条件的区县设立集成电路设计创业引导资金，推动集成电路设计产业生态培育和重大项目引进工作。积极探索产业基金投资新模式，促进产业与资本深度融合。

　　创新投融资模式。鼓励各类金融机构加大对我市集成电路设计企业的信贷支持力度，支持金融机构推出满足集成电路设计企业融资需求的信贷创新产品。鼓励成立市场化投资基金，支持发展前景好的集成电路设计企业通过发行上市、并购重组、股权转让、债券发行、资产证券化等方式进行直接融资，促进资金加速向集成电路设计企业创新发展领域集聚。

　　充分发挥重庆市高新技术产业工作专班（办公室设在市发展改革委）作用，统筹推进全市集成电路设计产业发展，督促推动相关项目落地建设，定期督导评估相关政策落实和任务完成情况。强化市、区县协调联动，有关区县政府要明确工作目标、工作任务、进度安排和保障措施，共同推动本行动计划各项任务落实。

　　1．支持企业发展。对实际到位投资2000万元以上的集成电路设计类企业，按照其每款产品完成首次全掩膜工程流片费用50%的比例给予资金支持（流片费用包括知识产权核授权费、掩膜版费、测试化验加工费），对单个企业年度支持总额最高1000万元。鼓励有条件的区县对拥有自主知识产权、年度营收首次有较大突破的集成电路设计企业给予一定奖励。

　　2．支持平台建设。对已建成的市级集成电路公共服务平台，为集成电路设计企业提供EDA工具、仿真、知识产权库等公共服务的，根据平台运行服务的情况，按照不超过企业运营费的10%给予奖励，对单个企业的奖励资金每年最高不超过400万元。支持有条件的区县建设用于重庆企业开展芯片研发支撑服务的集成电路产业公共服务平台，并根据项目总投资规模给予一定比例或者一定额度的补助。

　　落实国务院关于新时期促进集成电路产业和软件高质量发展的相关政策，确保企业政策兑现实现“首接首问制”“一窗受理”。优化楼宇载体环境，按照“拎包入住”的标准打造楼宇空间，对新入驻的集成电路设计企业给予租金减免、购房装修、水电气讯等政策支持，并不断完善配套服务功能，打造优质创新创业生态。

　　集微网消息，近日，成都高新区电子信息产业局拟制的《成都高新技术产业开发区关于支持集成电路产业高质量发展的若干政策（征求意见稿）》向社会公众公开征求意见，时间为2023年12月22日至2024年1月23日。

　　第一条 支持企业提升研发设计能力。对设计企业租用本地研发或国家级公共服务平台提供的EDA工具的，按照租赁费用的50%给予最高100万元补贴。对设计企业使用多项目晶圆（MPW）进行集成电路产品研发流片的，按照流片费用70%给予最高500万元补贴。

　　第二条 支持企业加强生态合作。对和本地晶圆代工厂合作开发工业软件、IP核的企业，按照企业自投项目研发费用的10%给予最高200万元补贴。对设计企业开展有利于促进本地集成电路线nm（含）工艺产线应用的首轮全掩模工程流片项目，按照流片费用50%给予最高2000万元补贴，后续批量生产流片按照流片费用5%给予3年每年最高500万元补贴。对设计企业使用本地封装测试服务的，按照封测费用较上一年费用增量的15%给予最高100万元补贴。

　　第三条 支持企业加大项目投入。对新引进的总投资5亿元以下集成电路晶圆制造、封测项目以及实施生产线技术升级改造的本地集成电路企业，且固定资产投资超1000万元的，按照固定资产实际投资额8%给予最高2000万元补贴，单个项目补贴额最高不超过4000万元。对特别重大的项目，按“一事一议”原则给予支持。

　　第四条 支持企业制造、封测服务能力提升。对晶圆制造企业为本地设计企业提供流片代工服务的，按照代工费用的8%给予最高1亿元补贴。对已量产的封测企业为本地设计企业提供先进封装及高可靠性封装测试服务的，按照封装测试费用的5%给予最高500万元补贴；对新投产的先进封装及高可靠性封装产线万元补贴。

　　第五条 加快上下游供应链项目落地。对高新区新落地或开展技术改造以及高新区协同引进、落地合作园区的设备（零部件）、材料等配套企业，且固定资产投资超500万元的，按照固定资产投资额10%给予最高1000万元补贴，单个项目补贴额最高不超过2000万元。对特别重大的项目，按“一事一议”原则给予支持。

　　第六条 支持设备、材料验证应用。对集成电路企业协助本地及合作园区企业开展自主安全可控设备（零部件）、材料等配套产品相关验证的，按照验证费用的50%给予补贴，单台设备验证最高不超过100万元，每批材料验证最高不超过50万元，每家企业最高不超过1000万元。对集成电路设备（零部件）、材料企业产品进入国内外知名企业进行验证的，按不超过进场验证费用的20%给予补贴，给予最高500万元补贴。对本地及合作园区企业成功研制首台套（首批次）并实现销售的，按照产品实际销售总额的30%给予最高3000万元奖励。

　　第七条 支持供应链协同。对集成电路企业首次采购本地及合作园区企业设备（零部件）、材料、工业软件等产品形成供应链的，按照购销合同总额的10%（供需双方各5%）给予最高500万元补贴；金额持续增长的，按照购销合同总额的5%（供需双方各2.5%）给予最高500万元补贴，单个企业补贴额每年最高不超过2000万元。

　　第八条 支持企业聘任关键人才。对IC设计企业人力资源成本支出超过50万元的，制造、封测、设备（零部件）、材料企业人力资源成本支出超过30万元的，按照人才使用效能，分梯度给予企业每人每年最高50万元，用于人才绩效奖励。

　　第九条 加快紧缺适用型人才培养。对本地企业主导与国际国内高校、科研院所共建集成电路人才实训基地的，按照企业建设投入费用的20%给予基地最高500万元的一次性补贴。对本地晶圆制造、封测企业招用应届毕业生并提供6个月以上工艺技术带教培训的，按照培训结束后企业实际留岗人数给予5000元/人最高200万元补贴，用于企业人才培养；给予带教导师1万元/年的带教补贴。对本地企业委托专业培训机构开展工程师技术能力提升培训的，按照企业实际支付培训费用的20%给予最高50万元的培训补贴。

　　第十条 支持企业做大做强。对IC设计企业年度主营业务收入首次突破1亿元、3亿元、5亿、10亿的，按照晋档补差原则给予500万元、700万元、900万元、1100万元一次性奖励；对晶圆制造、封装测试企业年度主营业务收入首次突破3亿元、5亿元、10亿元、20亿元的，按照晋档补差原则给予500万元、700万元、900万元、1100万元一次性奖励；对设备（零部件）、材料企业年度集成电路相关主营业务收入首次突破5000万、1亿、3亿、5亿的，按照晋档补差原则给予500万元、700万元、900万元和1100万元一次性奖励。鼓励企业将以上奖励资金部分用于对企业核心管理人员、研发人员等有突出贡献人员的个人奖补。

　　第十一条 培育本地隐形冠军。对首次通过“国家鼓励的重点集成电路设计企业”备案的，给予100万元一次性奖励。对首次获评国家级制造业单项冠军示范企业、产品的集成电路企业，分别给予100万元、50万元一次性奖励。对首次获评国家级专精特新“小巨人”企业、省级专精特新企业的集成电路企业，分别给予50万元、30万元一次性奖励。

　　第十二条 支持高水平创新平台建设。对新获批集成电路领域省级及以上制造业创新中心、产业创新中心、技术创新中心的，给予最高1000万元一次性奖励。对有持续投入的国家级创新平台，按照平台设备及软件购置费用的30%给予最高500万元补贴。

　　第十三条 支持企业开展关键技术攻关。对承担国家集成电路领域重大项目、重大技术攻关计划和重点研发计划的，根据项目国拨资金到位进度，按照1:0.5比例给予最高2000万元的配套资金支持。

　　第十四条 鼓励企业通过资质认证。对首次通过AEC-Q认证、ISO26262等车规级标准认证的，按照认证费用的30%给予30万元/个一次性奖励。对首次通过车规级芯片测试认证的平台，给予50万元/个一次性奖励。对设备（零部件）、材料企业产品通过SEMI标准认证的，按照认证费用的50%给予最高100万元/个一次性奖励。单个企业每年最高奖励200万元。

　　第十五条 促进行业资源整合。对高校、科研院所将仪器设备等科学装置开放给本地集成电路企业使用的，按照服务费用的20%给予最高300万元奖励，鼓励将以上奖励资金部分用于对运营团队的个人奖补。对服务本地集成电路产业，推动区域产业竞争力及行业影响力提升的行业组织，给予每年最高不超过150万元奖励。

　　柔性电子器件能够连续监测多种生物物理信号（例如心率、血压、体温）和生化信号（例如体液中的离子和代谢物）。先进材料的研发促进了柔性电子器件的发展，包括导电聚合物，纳米材料，水凝胶，液态金属，和有机半导体。由上述材料构建的柔性电子器件减轻了与生物组织之间界面的机械不匹配，从而扩展了模态并提高了传感的保真度。然而，柔软的特性使其难以与传统电子器件连接。近年来，研究人员提出了各种方法，包括聚合物/金属纳米结构、可拉伸各向异性导电薄膜，以及机械互锁微桥结构等，来实现柔性电子器件的无焊快速互连，但这些互连是不可逆的，导致柔性电子器件的功能、灵敏度、空间分布等特征固定，缺乏可重构性。为了解决上述问题，北京大学未来技术学院韩梦迪课题组开发了磁性导电复合材料（Hard Magnetic Graphene Nanocomposite，HMGN），其工艺流程包括激光诱导石墨烯、钕铁硼/聚二甲基硅氧烷混合物剥离转移和后续磁化。钕铁硼颗粒渗透到多孔结构中形成磁性导电复合材料，并展示出了优异的机电性能以及磁性和生物兼容性。基于该材料，研究团队制备了多模态传感，包括伏安法电化学传感、电生理传感以及温度传感，并研究了磁颗粒和磁畴对传感性能的调节。对于伏安电化学传感，磁性粒子通过磁流体动力和微磁流体动力作用，在极小尺度上施加洛伦兹力诱导对流，促进快速的氧化还原反应和电子转移。对于电生理传感，掺杂NdFeB颗粒增强了复合材料的亲水性，减少气隙和增强表面润湿，从而降低界面阻抗。对于温度传感，磁性颗粒内部电子的热运动以及磁畴的热运动协同作用增强灵敏度。此外，课题组还提出基于HMGN的可逆、自对准的电学连接。有序的磁畴允许HMGN传感器自组装到具有磁性和导电互连的HMGN衬底上或从衬底上分离。传感器和衬底中的磁颗粒呈相反极性相互吸引，形成从传感器N极到衬底S极的连续导电路径。HMGN传感器和衬底的磁性吸引力在界面处形成了无缝连接。界面的电流-电压曲线表明其欧姆接触。与其他互连技术(如导线粘合和导电胶)相比，由磁吸形成的互连是可逆的和自对准的，不需要外部压力或加热。课题组利用基于HMGN的多模态传感以及可逆、自对准的电学连接，测量了健康人体的心电图、皮肤阻抗、皮肤温度以及汗液中离子和代谢物的浓度，展示了基于HMGN的柔性电子器件的多模态可重构，包括可重构的灵敏度、空间分布和传感模态。总结来说，HMGN可以实现柔性电子的重构，用于各种生物医学应用，在协助诊断和治疗许多人类疾病方面具有潜力。其进一步的发展包括扩展HMGN的传感模态，以针对更多样化的物理和生化条件；改进自对准互连，以协助在大范围内组装小型设备；以及开发完全集成的可重构柔性电子，包括前端传感模块和后端电路模块。

　　集微网消息，近日，中科融合宣布已于2023年底完成数千万元战略轮融资，本轮融资由老股东万讯自控及海南明沣等联合投资。相关资金将用于公司先进光学智能传感核心模组工厂建设、工业信号链芯片研发、核心技术产品优化升级、人才团队建设及市场化推广。

　　中科融合官方消息显示，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所是国内最早开始研究MEMS技术的科研院所，作为其孵化的企业，中科融合在智能光学传感领域持续追求科技创新，专注于完全自主研发的AI+3D芯片和模组产品，构建从“MEMS芯片+AI算法+SOC芯片”的闭环技术链路，并致力于将这些创新技术和成果推动产业化落地。

　　据悉，中科融合提供的智能光学传感模组已经在工业及医疗领域交付规模订单，覆盖了新能源车、重型机械的上下料、焊接、切割、装配、缺陷检测等众多场景。中科融合的智能光学传感模组还可以广泛应用于诸如生物识别、智能家居、自动驾驶、HUD、游戏影视、AR/VR等领域，在众多需要高精度3D建模和空间识别的应用场景中展现出卓越的性能和潜力。